高亮度LED主要分为红外光的GaAs体系和AlGaAs体系，红、橙、黄、绿色的AlGaInP体系，绿色和蓝色的InGaN体系，以及紫外光的GaN和AlGaN体系。其时InGaN体系的蓝光光效现已较高，再接洽四元系的红黄光，现已开端遍及地运用于照明、背光、展现、交通指示灯等领域。紫外光LED有着宽阔的阛阓运用远景，半导体紫外光源在照明、灭菌、医疗、打印、生化检测、高密度的信息贮存和保密通讯等领域具有严厉运用代价。红外光LED主要包罗峰值波长从850nm到940nm的红外LED，遍及运用于遥控器、驱动器、电脑鼠标、传感器、宁静设置装备部署和展现器背光等领域，红外LED必要连续增长的驱动力主要泉源于家用电器、宁静体系和无线通讯产品等。

　　白光运用是蓝光LED芯片的紧张阛阓，也是最为紧张的开展偏向，其选用蓝光芯片加YAG黄色荧光粉然后组成白光光源。其时，天下LED大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为明显的上风，而海内LED芯片公司其时主要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的开展，但由于前几年的过分出资致使了产能过剩，致使中小功率蓝光芯片阛阓出现了较为严厉的“代价战”。关于蓝光LED芯片而言，主要的开展偏向为硅基LED防爆灯炷片、高压LED芯片、倒装LED芯片等。关于中小功率LED芯片阛阓而言，其时干流阛阓的趋向为0.2-0.5W阛阓，封装要领包罗2835、5630以及COB封装等。关于别的细分领域，如笔挺结构的芯片，封装后可以大概运用于指向性照明运用，如手电、矿灯、闪光灯、射灯等灯具产品中。

　　硅衬底LED芯片渐受器重

　　其时阛阓上干流的蓝光芯片通常都是在蓝宝石衬底上发展，其间以日即日亚公司为代表；别的另有一种蓝光芯片是在碳化硅衬底上发展，以美国科锐公司为代表。

　　这些年硅衬底上发展LED防爆灯的蓝光LED芯片越来越遭到各人的器重。硅衬底由于可以大概选用IC厂的主动生产线，相比简朴选用其时IC工场的6寸和8寸线的老练技能，再加上大标准硅衬蓝资本相对低价，因此未来硅衬底LED芯片的资本预期会大幅度降落，也可推进半导体照明的疾速浸透。