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LED防爆灯与高亮度芯片发展方向及走势
作者: admin   来源: 本站   发表时间: 2013-7-11 14:29:43
    高亮度LED主要分为红外光的GaAs体系和AlGaAs体系,红、橙、黄、绿色的AlGaInP体系,绿色和蓝色的InGaN体系,以及紫外光的GaN和AlGaN体系。其时InGaN体系的蓝光光效现已较高,再接洽四元系的红黄光,现已开端遍及地运用于照明、背光、展现、交通指示灯等领域。紫外光LED有着宽阔的阛阓运用远景,半导体紫外光源在照明、灭菌、医疗、打印、生化检测、高密度的信息贮存和保密通讯等领域具有严厉运用代价。红外光LED主要包罗峰值波长从850nm到940nm的红外LED,遍及运用于遥控器、驱动器、电脑鼠标、传感器、宁静设置装备部署和展现器背光等领域,红外LED必要连续增长的驱动力主要泉源于家用电器、宁静体系和无线通讯产品等。

  白光运用是蓝光LED芯片的紧张阛阓,也是最为紧张的开展偏向,其选用蓝光芯片加YAG黄色荧光粉然后组成白光光源。其时,天下LED大厂在大功率蓝光芯片方面有着较为明显的上风,而海内LED芯片公司其时主要是在中小功率蓝光芯片方面有较大的开展,但由于前几年的过分出资致使了产能过剩,致使中小功率蓝光芯片阛阓出现了较为严厉的“代价战”。关于蓝光LED芯片而言,主要的开展偏向为硅基LED防爆灯炷片、高压LED芯片、倒装LED芯片等。关于中小功率LED芯片阛阓而言,其时干流阛阓的趋向为0.2-0.5W阛阓,封装要领包罗2835、5630以及COB封装等。关于别的细分领域,如笔挺结构的芯片,封装后可以大概运用于指向性照明运用,如手电、矿灯、闪光灯、射灯等灯具产品中。http://hengshuilide.com

 

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